FOD817A

Symbol Micros: OOPC817a FAI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04
pojedynczy CTR 80-160% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor
Parametry
CTR: 80-160%
Obudowa: PDIP04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 70V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FOD817A RoHS Obudowa dokładna: PDIP04  
Stan magazynowy:
51 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 51+ 204+ 816+
cena netto (PLN) 1,6500 1,0800 0,7670 0,6710 0,6330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
51
CTR: 80-160%
Obudowa: PDIP04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 70V