LTV817S-A smd

Symbol Micros: OOPC817altvs CT
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy CTR 160% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817AS, FOD817ASD, LTV-817S-TA1-A; MT817ASM;
Parametry
CTR: 160%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 0,5kV
Napięcie wyjściowe: 35V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
CTR: 160%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 0,5kV
Napięcie wyjściowe: 35V