EL817(B)-F
Symbol Micros:
OOPC817b EVL
Obudowa: PDIP04
pojedynczy CTR 130-260% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor odpowiednik: LTV817B; PC817B; EL817(B)-F; EL817B;
Parametry
CTR: | 130-260% |
Obudowa: | PDIP04 |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 35V |
CTR: | 130-260% |
Obudowa: | PDIP04 |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 35V |