LTV817S-B smd

Symbol Micros: OOPC817bltvs CT
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 130-260% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817BS, LTV-817S-TA1-B FOD817BSD LTV817BS; LTV817STA1B-V; MT817BSM;
Parametry
CTR: 130-260%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
CTR: 130-260%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta