FOD817BS

Symbol Micros: OOPC817bs FAI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy CTR 130-260% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817BSD
Parametry
CTR: 130-260%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 70V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FOD817BS RoHS Obudowa dokładna: PDIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1500 0,6110 0,4740 0,4370 0,4190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FOD817BS Obudowa dokładna: PDIP04smd  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
CTR: 130-260%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 70V