LTV817S-C smd   LTV-817S-C LTV-817S-TA1-C LTV-817S-TA1

Symbol Micros: OOPC817cltvs CT
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy; CTR 200-400%; Vce 35V; Uiso 5,0kV; NPN Phototransistor; PS2501L-1(L); SFH6106-4; SFH6106-5T; EL817S1-C(TU); PC817X3NIP; LTV-817S-TA1-C; LTV817S-TA1-C; MT817CSM;
Parametry
CTR: 200-400%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
CTR: 200-400%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V