PC817D
Symbol Micros:
OOPC817d CT
Obudowa: PDIP04
pojedynczy CTR 300-600% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor odpowiednik: LTV817D; PC817X4NSZ9F; FOD817D; PC817X4NSZ1B;
Parametry
CTR: | 300-600% |
Obudowa: | PDIP04 |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 35V |
CTR: | 300-600% |
Obudowa: | PDIP04 |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 35V |