FOD817D3S
Symbol Micros:
OOPC817d3s FAI
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy CTR 300-600% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817D3SD
Parametry
CTR: | 300-600% |
Obudowa: | PDIP04smd |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 70V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817D3SD RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04smd
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,4800 | 1,3800 | 1,0800 | 1,0200 | 0,9900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817D3S
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,9900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817D3SD
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
195000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,9900 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FOD817D3SD
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
101000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,9900 |
CTR: | 300-600% |
Obudowa: | PDIP04smd |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 70V |