LTV817D

Symbol Micros: OOPC817dltv
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 300-600% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor odpowiednik: PC817D LTV-817-D CYPC817D
Parametry
CTR: 300-600%
Obudowa: PDIP04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-11-29
Ilość szt.: 1000
CTR: 300-600%
Obudowa: PDIP04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta