LTV817S-D smd

Symbol Micros: OOPC817dltvs CT

503717

OOPC817dltvs CT

Symbol Kontrahenta:

Obudowa: DIP04smd

rys. techniczny rys. techniczny Dodaj do ulubionych

pojedynczy CTR 300-600% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817DS, LTV-817S-TA1-D FOD817D300W; MT817DSM;

Parametry

CTR:	300-600%
Obudowa:	DIP04smd
Typ wyjścia:	NPN Phototransistor
Napięcie izolacji:	5000V
Napięcie wyjściowe:	35V

Wszystkie parametry

         

 

Dodaj zapytanie

Pozycja dostępna na zamówienie

• Parametry

CTR:	300-600%
Obudowa:	DIP04smd
Typ wyjścia:	NPN Phototransistor
Napięcie izolacji:	5000V
Napięcie wyjściowe:	35V

Edytuj Symbol

Usuń powiązane z Symbolem Kontrahenta

Symbol Micros

Czy na pewno chcesz usunąć Twoje symbole? Twój symbol Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Usuń Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Dodaj symbol

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Podana nazwa jest zajeta

Symbol zawiera niedozwolone znaki lub jest zbyt krótki. Symbol może składać się z dużych i małych liter, spacji, znaków specjalnych: "-", "/", "." i musi mieć co najmniej 3 znaki.