FOD817S
Symbol Micros:
OOPC817s FAI
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy CTR 50-600% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817SD
Parametry
CTR: | 50-600% |
Obudowa: | PDIP04smd |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 70V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817S RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04smd
karta katalogowa
Stan magazynowy:
11 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,6500 | 1,6600 | 1,3800 | 1,2300 | 1,1500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817SD RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04smd
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,6500 | 1,6600 | 1,3800 | 1,2300 | 1,1500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817SD
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1500 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FOD817SD
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1500 |
CTR: | 50-600% |
Obudowa: | PDIP04smd |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 70V |