TCET1107G
Symbol Micros:
OOTCET1107g
Obudowa: PDIP04 0,4"
pojedynczy CTR 80-160% Vce 70V Uiso 5kV NPN Phototransistor
Parametry
| CTR: | 80-160% |
| Obudowa: | PDIP04 0,4" |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 70V |
Producent: Vishay
Symbol producenta: TCET1107G
Obudowa dokładna: PDIP04 0,4"
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5358 |
| CTR: | 80-160% |
| Obudowa: | PDIP04 0,4" |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 70V |