CYTLP181(GB-TP)
Symbol Micros:
OOTLP181 CY
Obudowa: SOP04
pojedynczy CTR 100-600% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: TLP181(GB-TPL,F
Parametry
| CTR: | 100-600% |
| Obudowa: | SOP04 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe: | 80V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-01-31
Ilość szt.: 1000
| CTR: | 100-600% |
| Obudowa: | SOP04 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe: | 80V |
Odpowiedniki
TLP181(GB-TPL,F)
pojedynczy CTR 50-600% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor OBSOLETE; ZAMIENNIKI: TLP181GB-S; KPC357NT0C; TIL198; TLP185(GB); LTV-356T-B; SFH690AT; SFH690BT; VOM617A-4T; PC357NTJ000F; HCPL-181 TLP181(GB-TPL-F); TLP181; TLP181 smd; TLP181(GB-TPL,F); HPC357;
Producent:
Toshiba
Symbol producenta:
TLP181(GB-TPL,F) RoHS
Obudowa dokładna:
SO 4 t/r
Stan magazynowy
1007 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
| cena netto (PLN) | 7,0900 | 5,6200 | 4,7800 | 4,3900 | 4,1700 |
Sposób pakowania: 2507
Ilość (wielokrotność 1)
KPC357NT0C
transoptor; Vout 5V; Vcesat 80V; If 50mA; Ic 50mA; –55°C~115°C; Isocom PN: IS357 ; KPC357NT0CTLD; TLP181(GB-TPL-F); KPC357NT0CTLD; TLP181(GB-TPL-F);
Producent:
COSMO
Symbol producenta:
KPC357NT0CTLD RoHS
Obudowa dokładna:
SO 4 t/r
Stan magazynowy
700 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,1000 | 0,5500 | 0,3280 | 0,2710 | 0,2440 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
TLP181GB-S UMW
pojedynczy CTR 100-600% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: TLP181(GB-TPL,F
Producent:
UMW
Symbol producenta:
TLP181GB-S RoHS
Obudowa dokładna:
SOP04 t/r
Stan magazynowy
370 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,7100 | 0,9460 | 0,7470 | 0,6780 | 0,6560 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)