TLP291 SOIC04 TLP291(TP,SE(T
Symbol Micros:
OOTLP291
Obudowa: SOIC04
pojedynczy CTR 100-600% Vce 80V Uiso 3,75kV Transistor TLP291(E(O; TLP291-E-O; TLP291(TP,E(O; TLP291(GB,E(O; TLP291(GB-TP,E(O; TLP291(GR,SE(T; TLP291-GR.SE-T; T&R TLP291GB-TP.SE; CYTLP291(GB-TP); TLP291-GB-TP.E-O; TLP291(GB-TP.E(O;
Parametry
CTR: | 100-600% |
Obudowa: | SOIC04 |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 3750V |
Napięcie wyjściowe: | 80V |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP291(GB-TP,SE RoHS
Obudowa dokładna: SOP04 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,4500 | 0,8040 | 0,6350 | 0,5770 | 0,5580 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP291(GRH-TP,SE(T
Obudowa dokładna: SOIC04
Magazyn zewnetrzny:
100000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,5580 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP291(TP,SE(T
Obudowa dokładna: SOIC04
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,5580 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP291(SE(T
Obudowa dokładna: SOIC04
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt.
ilość szt. | 1050+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,5580 |
CTR: | 100-600% |
Obudowa: | SOIC04 |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 3750V |
Napięcie wyjściowe: | 80V |