TLP385(GR-TPL,E Toshiba TLP385-GB.E-T
Symbol Micros:
OOTLP385 smd
Obudowa: SO6L-4
pojedynczy CTR 300% Vce 80V Uiso 5,0kV Phototransistor TLP385(D4GB-TL,E(T TLP385(D4GL-TL,E(T TLP385(D4GR-TL,E(T TLP385(GB,E(T
Parametry
| CTR: | 300% |
| Obudowa: | SO6L-4 |
| Typ wyjścia: | Fototranzystor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 80V |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP385(GB-TPR,E(T
Obudowa dokładna: SO6L-4
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4365 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP385(GB-TPL,E(T
Obudowa dokładna: SO6L-4
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5821 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP385(D4BLLTL,E(T
Obudowa dokładna: SO6L-4
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5821 |
| CTR: | 300% |
| Obudowa: | SO6L-4 |
| Typ wyjścia: | Fototranzystor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 80V |