TLP626

Symbol Micros: OOTLP626
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 100-1200% Vce 300mV Uiso 5,0kV OBSOLETE; ODPOWIEDNIK: TLP626(F);
Parametry
CTR: 100%~1200%
Obudowa: PDIP04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 55V
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP626(F) RoHS Obudowa dokładna: PDIP04 karta katalogowa
Stan magazynowy:
11 szt.
ilość szt. 1+ 4+ 13+ 39+ 130+
cena netto (PLN) 21,4500 18,6800 17,4800 16,8700 16,5000
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
13
CTR: 100%~1200%
Obudowa: PDIP04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 55V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta