Fotorezystor PGM5516
Symbol Micros:
ORRPGM5516
Obudowa: Rys.PGM5516
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=5-10kR; 1lx(min)=0.2MR napięcie max Vmax = 100V; długość fali: 540nm; moc całkowita Pmax=90mW;
Parametry
| Właściwości: | Rezystancja przy oświetleniu: 10lx=5k-10k |
| Moc: | 90mW |
| Napięcie pracy: | 100V |
| Długość fali (nm): | 540nm |
| Temperatura pracy (zakres): | -30°C ~ 70°C |
Producent: import
Symbol producenta: PGM5516 RoHS
Obudowa dokładna: Rys.PGM5516
Stan magazynowy:
4750 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2300 | 0,5940 | 0,4060 | 0,3600 | 0,3510 |
Producent: import
Symbol producenta: CDS 5516 RoHS
Obudowa dokładna: Rys.PGM5516
Stan magazynowy:
8000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2300 | 0,5940 | 0,4060 | 0,3600 | 0,3510 |
| Właściwości: | Rezystancja przy oświetleniu: 10lx=5k-10k |
| Moc: | 90mW |
| Napięcie pracy: | 100V |
| Długość fali (nm): | 540nm |
| Temperatura pracy (zakres): | -30°C ~ 70°C |