Fotorezystor PGM5649D
Symbol Micros:
ORRPGM5649D
Obudowa: Rys.PGM5649D
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=50-160kR; 1lx(min)=20MR napięcie max Vmax = 150V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=100mW;
Parametry
| Właściwości: | Rezystancja przy oświetleniu: 10lx=50k-160k |
| Moc: | 0,1W |
| Napięcie pracy: | 150V |
| Długość fali (nm): | 560nm |
| Temperatura pracy (zakres): | -30°C ~ 70°C |
Producent: import
Symbol producenta: PGM5649D RoHS
Obudowa dokładna: Rys.PGM5649D
Stan magazynowy:
2000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2200 | 0,5930 | 0,4070 | 0,3610 | 0,3490 |
Producent: import
Symbol producenta: CDS 5649D RoHS
Obudowa dokładna: Rys.PGM5649D
Stan magazynowy:
399 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2200 | 0,5930 | 0,4070 | 0,3610 | 0,3490 |
| Właściwości: | Rezystancja przy oświetleniu: 10lx=50k-160k |
| Moc: | 0,1W |
| Napięcie pracy: | 150V |
| Długość fali (nm): | 560nm |
| Temperatura pracy (zakres): | -30°C ~ 70°C |