|
Zakres napięcia zasilania:
|
2.7~5.5V |
|
Obudowa:
|
SOP08 |
|
Pamięć RAM:
|
32kB |
|
Częstotliwość:
|
1,000MHz |
|
Producent:
|
Cypress |
|
Architektura:
|
8-bit |
|
Interfejs SPI:
|
NIE |
|
Interfejs TWI (I2C):
|
TAK |
|
Temperatura pracy (zakres):
|
-40°C ~ 85°C |
|
Interfejs CAN:
|
NIE |
|
Interfejs CRYPT:
|
NIE |
|
Interfejs ETHERNET:
|
NIE |
|
Interfejs UART/USART:
|
NIE |
|
Interfejs USB:
|
NIE |
|
Przetwornik A/D:
|
NIE |
|
Przetwornik D/A:
|
NIE |
Opis szczegółowy
Wybrane właciwoci:
- pojemnoć: 256Kbit;
- organizacja: 8-bitowa;
- dostęp szeregowy: interfejs 2-Wire/SPI;
- częstotliwoć zegara interfejsu: 1/20MHz;
- okres niezmiennoci danych umieszczonych w pamięci: min. 10 lat;
- brak oczekiwania na operację typu zapis/odczyt (NoDelay™ Writes);
- pobór pršdu:
a) w stanie aktywnym: max. 200µA;
b) w trybie standby: max. 10µA;
- kompatybilnoć z pamięciami EEPROM;
- napięcie zasilania: 2.7÷5.5V
- temperatura pracy: -40÷85°C;
- dostępne w obudowie: SOP08.
Pamięć FRAM zbudowana jest z materiału ferroelektrycznego o nazwie PZT (zwišzek ołowiu, cyrkonu i tytanu), którego cechuje możliwoć zapamiętania jednego z dwóch kierunków pola elektrycznego. Do zapamiętania informacji wykorzystuje się efekt ferroelektryczny - pod wpływem działania pola elektrycznego następuje trwała zmiana polaryzacji czšstek. Nieobecnoć pola elektrycznego nie powoduje zmiany polaryzacji. Komórkę pamięci można sobie wyobrazić jako kondensator z materiałem ferroelektrycznym jako dielektrykiem, ładowany na przemian napięciem o przeciwnej polaryzacji. Poprzez zmianę polaryzacji ładunków w takim kondensatorze można zapamiętać dwa stabilne stany odpowiadajšce stanom logicznym „0” i „1”.
Pamięci FRAM nazywane sš nieulotnymi pamięciami RAM. Łšczš w sobie zalety pamięci o dostępie swobodnym RAM oraz pamięci tylko czytanych ROM. Charakteryzujš się możliwociš szybkiego odczytu i zapisu, nieograniczonš ilociš cykli zapis/kasowanie a jednoczenie nieulotnociš danych - wyłšczenie napięć zasilajšcych nie powoduje utraty zapamiętanej informacji; odwieżanie informacji nie jest konieczne. Pamięci FRAM stosowane sš tam, gdzie wymagana jest duża szybkoć pracy, niski pobór pršdu oraz bezpieczeństwo danych.
