|
Zakres napięcia zasilania:
|
4.5~5.5V |
|
Obudowa:
|
SOP08 |
|
Pamięć RAM:
|
512B |
|
Częstotliwość:
|
20,000MHz |
|
Producent:
|
Ramtron |
|
Architektura:
|
8-bit |
|
Interfejs SPI:
|
TAK |
|
Interfejs TWI (I2C):
|
NIE |
|
Temperatura pracy (zakres):
|
-40°C ~ 85°C |
|
Interfejs CAN:
|
NIE |
|
Interfejs CRYPT:
|
NIE |
|
Interfejs ETHERNET:
|
NIE |
|
Interfejs UART/USART:
|
NIE |
|
Interfejs USB:
|
NIE |
|
Przetwornik A/D:
|
NIE |
|
Przetwornik D/A:
|
NIE |
Opis szczegółowy
Wybrane właściwości:
- pojemność: 4 Kbit;
- organizacja: 8-bitowa;
- dostęp szeregowy: interfejs 2-Wire/SPI;
- częstotliwość zegara interfejsu: 1/20 MHz;
- okres niezmienności danych umieszczonych w pamięci: min. 10 lat;
- brak oczekiwania na operację typu zapis/odczyt (NoDelay™ Writes);
- pobór prądu:
a) w stanie aktywnym: max. 200 µA;
b) w trybie standby: max. 10 µA;
- kompatybilność z pamięciami EEPROM;
- napięcie zasilania: 4,5÷5,5 V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;
- dostępne w obudowie: SOP08.
Pamięć FRAM zbudowana jest z materiału ferroelektrycznego o nazwie PZT (związek ołowiu, cyrkonu i tytanu), którego cechuje możliwość zapamiętania jednego z dwóch kierunków pola elektrycznego. Do zapamiętania informacji wykorzystuje się efekt ferroelektryczny – pod wpływem działania pola elektrycznego następuje trwała zmiana polaryzacji cząsteczek. Nieobecność pola elektrycznego nie powoduje zmiany polaryzacji. Komórkę pamięci można sobie wyobrazić jako kondensator z materiałem ferroelektrycznym jako dielektrykiem, ładowany na przemian napięciem o przeciwnej polaryzacji. Poprzez zmianę polaryzacji ładunków w takim kondensatorze można zapamiętać dwa stabilne stany odpowiadające stanom logicznym „0” i „1”.
Pamięci FRAM nazywane są nieulotnymi pamięciami RAM. Łączą w sobie zalety pamięci o dostępie swobodnym RAM oraz pamięci tylko do odczytu ROM. Charakteryzują się możliwością szybkiego odczytu i zapisu, nieograniczoną ilością cykli zapis/kasowanie, a jednocześnie nieulotnością danych – wyłączenie napięcia zasilającego nie powoduje utraty zapamiętanej informacji; odświeżanie informacji nie jest konieczne. Pamięci FRAM stosowane są tam, gdzie wymagana jest duża szybkość pracy, niski pobór prądu oraz bezpieczeństwo danych.
