K6R4016V1D-KI10
| Obudowa: | SOJ44 |
| Zakres napięcia zasilania: | 3.0~3.6V |
| Pamięć RAM: | 256kB |
| Producent: | SAMSUNG |
| Architektura: | 16-bit |
| Interfejs ETHERNET: | NIE |
| Interfejs SPI: | NIE |
| Obudowa: | SOJ44 |
| Zakres napięcia zasilania: | 3.0~3.6V |
| Pamięć RAM: | 256kB |
| Producent: | SAMSUNG |
| Architektura: | 16-bit |
| Interfejs ETHERNET: | NIE |
| Interfejs SPI: | NIE |
| Interfejs TWI (I2C): | NIE |
| Interfejs UART/USART: | NIE |
| Przetwornik A/D: | NIE |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 85°C |
| Interfejs CAN: | NIE |
| Interfejs CRYPT: | NIE |
| Interfejs USB: | NIE |
| Przetwornik D/A: | NIE |
K6R4016V1D-KI10 - pamięć SRAM wykonana w technologii CMOS. Informacja jest wprowadzana do pamięci i wydawana z niej w sposób asynchroniczny w postaci słów 16-bitowych. Wybór trybu pracy pamięci odbywa się za pomocą sygnałów: Chip Select (~CS, uaktywnienie pamięci), Write Enable (~WE, uaktywnienie zapisu), Output Enable (~OE, uaktywnienie odczytu).
Wybrane właściwości:
- pojemność: 4Mbit;
- organizacja: 16-bit;
- czas dostępu: 10ns;
- wyjścia / wejścia kompatybilne z TTL;
- trójstanowe wyjścia – możliwość łączenia ze sobą wielu kostek pamięci;
- pobór prądu:
tryb pracy aktywnej: 75mA max;
tryb standby: 20mA max (TTL), 5mA max (CMOS);
- napięcie zasilania: 3.3V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;
Pamięć ta znajduje zastosowanie tam, gdzie wymagana jest duża gęstość zapisu danych oraz duża szybkość przetwarzania.