Drabinka rezystorowa; 10kR
Symbol Micros:
RDS09/08k010.0g1
Obudowa:
Drabinka rezystorowa; SIL; 9 pinów; 8 rezystorów; 10kR; 2%; 0.125W; 200ppm/°C temperatura pracy: -55°C~155°C; max. napięcie pracy: 100V;
Parametry
| Rezystancja: | 10 kOhm |
| Moc: | 125mW |
| Ilość rezystorów: | 8 |
| Współczynnik temepraturowy: | 200ppm/°C |
| Napięcie pracy maks.: | 100V |
| Producent: | Nie dotyczy |
| Montaż: | THT |
Producent: ROYAL OHM
Symbol producenta: RNLA09G0103BOE RoHS
Obudowa dokładna: Rys23.1e
Stan magazynowy:
247 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2300 | 0,5950 | 0,4080 | 0,3620 | 0,3500 |
Producent: ROYAL OHM
Symbol producenta: RNLA09G0103B0E RoHS
Obudowa dokładna: Rys23.1e
Stan magazynowy:
1070 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2300 | 0,5950 | 0,4080 | 0,3620 | 0,3500 |
| Rezystancja: | 10 kOhm |
| Moc: | 125mW |
| Ilość rezystorów: | 8 |
| Współczynnik temepraturowy: | 200ppm/°C |
| Napięcie pracy maks.: | 100V |
| Producent: | Nie dotyczy |
| Montaż: | THT |
| Tolerancja: | 2% |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 125°C |