Drabinka rezystorowa; 10kR
Symbol Micros:
RDS09/08k010.0j1
Obudowa: Rys23.1e
Drabinka rezystorowa; SIL; 9 pinów; 8 rezystorów; 10kR; 5%; 0.125W; temperatura pracy: -55°C~155°C; max. napięcie pracy: 100V;
Parametry
| Rezystancja: | 10 kOhm |
| Moc: | 125mW |
| Ilość rezystorów: | 8 |
| Napięcie pracy maks.: | 100V |
| Producent: | Nie dotyczy |
| Montaż: | THT |
| Tolerancja: | 5% |
Producent: FENGHUA
Symbol producenta: A09-103JP RoHS
Obudowa dokładna: Rys23.1e
Stan magazynowy:
4800 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 4000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0100 | 0,4400 | 0,2760 | 0,2370 | 0,2250 |
| Rezystancja: | 10 kOhm |
| Moc: | 125mW |
| Ilość rezystorów: | 8 |
| Napięcie pracy maks.: | 100V |
| Producent: | Nie dotyczy |
| Montaż: | THT |
| Tolerancja: | 5% |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 125°C |