2N2219

Symbol Micros: T2N2219
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 39
Tranzystor NPN; 300; 800mW; 30V; 800mA; 250MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N2219-CDI;
Parametry
Moc strat: 800mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO 39
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: CDIL Symbol producenta: 2N2219 RoHS Obudowa dokładna: TO 39  
Stan magazynowy:
60 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7600 1,7300 1,4400 1,2800 1,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 800mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO 39
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 200°C
Typ tranzystora: NPN