2N2219A

Symbol Micros: T2N2219a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 39
Tranzystor NPN; 375; 800mW; 40V; 800mA; 300MHz; -65°C ~ 200°C; 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE
Parametry
Moc strat: 800mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Producent: CDIL
Obudowa: TO 39
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: CDIL Symbol producenta: 2N2219A-CDI RoHS Obudowa dokładna: TO 39 karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5500 1,6200 1,2800 1,1600 1,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: Microchip Symbol producenta: 2N2219A Obudowa dokładna: TO 39  
Magazyn zewnętrzny:
100 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 28,8679
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: CDIL Symbol producenta: 2N2219A Obudowa dokładna: TO 39  
Magazyn zewnętrzny:
2750 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3669
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 800mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Producent: CDIL
Obudowa: TO 39
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 200°C
Typ tranzystora: NPN