2N4401 TO92

Symbol Micros: T2N4401
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92ammoformed
Tranzystor NPN; 300; 625W; 40V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N4401BU; 2N4401TA; 2N4401RLRAG; 2N4401RLRPG; 2N4401-DIO; 2N4401-AP;
Parametry
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: CDIL
Obudowa: TO92ammoformed
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: HOTTECH Symbol producenta: 2N4401 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul  
Stan magazynowy:
222 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 0,4020 0,1590 0,0933 0,0685 0,0618
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Producent: MIC Symbol producenta: 2N4401 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul  
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 0,4020 0,1590 0,0933 0,0685 0,0618
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Producent: DIOTEC Symbol producenta: 2N4401 Obudowa dokładna: TO92ammoformed  
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0618
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 2N4401BU Obudowa dokładna: TO92ammoformed  
Magazyn zewnętrzny:
2200 szt.
ilość szt. 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,1335
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 2N4401BU Obudowa dokładna: TO92ammoformed  
Magazyn zewnętrzny:
16200 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,1345
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: CDIL
Obudowa: TO92ammoformed
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN