2N5192

Symbol Micros: T2N5192
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO225 (=TO126-3)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 80; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5192G;
Parametry
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 80
Obudowa: TO225 (=TO126-3)
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: 2N5192 RoHS Obudowa dokładna: TO225 (=TO126-3) karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,6000 1,0500 0,7530 0,6580 0,6170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 80
Obudowa: TO225 (=TO126-3)
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta