2N5400 LGE

Symbol Micros: T2N5400 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5400-LGE;
Parametry
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 180
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 120V
Producent: LGE Symbol producenta: 2N5400 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,5400 0,2060 0,1160 0,0961 0,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 180
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 120V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP