2N5401

Symbol Micros: T2N5401
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 240; 625mW; 150V; 600mA; 400MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5401-AP; 2N5401-G; 2N5401RLRAG; 2N5401UB1; 2N5401YBU; 2N5401YTA; 2N5401-CDI;
Parametry
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 400MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 240
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: import Symbol producenta: 2N5401 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul  
Stan magazynowy:
800 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,4400 0,1750 0,1030 0,0756 0,0677
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 2N5401YTA Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnętrzny:
14000 szt.
ilość szt. 2000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,1525
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 400MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 240
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta