2N7000
Symbol Micros:
T2N7000
Obudowa: TO92
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 9Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
Maksymalna tracona moc: | 400mW |
Obudowa: | TO92 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N7000BU RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
Stan magazynowy:
700 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,0700 | 0,5660 | 0,4390 | 0,4050 | 0,3880 |
Rezystancja otwartego kanału: | 9Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
Maksymalna tracona moc: | 400mW |
Obudowa: | TO92 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |