2N7000
Symbol Micros:
T2N7000 LGE
Obudowa: TO92
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
Maksymalna tracona moc: | 350mW |
Obudowa: | TO92 |
Producent: | LGE |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-11-20
Ilość szt.: 2000
Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
Maksymalna tracona moc: | 350mW |
Obudowa: | TO92 |
Producent: | LGE |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |