2N7002 LGE
Symbol Micros:
T2N7002 LGE
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002-LGE
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 115mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-04-20
Ilość szt.: 3000
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 115mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |