2N7002A-7

Symbol Micros: T2N7002A-7 Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 220mA; 540mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 540mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: 2N7002A-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2450 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8140 0,3870 0,2180 0,1650 0,1480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 540mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD