2N7002A-7
Symbol Micros:
T2N7002A-7 Diodes
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 220mA; 540mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
Maksymalna tracona moc: | 540mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: 2N7002A-7 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2450 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,8140 | 0,3870 | 0,2180 | 0,1650 | 0,1480 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: 2N7002A
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
5600 szt.
ilość szt. | 20+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1480 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: 2N7002A-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
ilość szt. | 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1480 |
Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
Maksymalna tracona moc: | 540mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |