2N7002BKW,115
Symbol Micros:
T2N7002bkw
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 310mA |
| Maksymalna tracona moc: | 330mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: 2N7002BKW,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1690 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9790 | 0,4650 | 0,2620 | 0,1990 | 0,1780 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002BKW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1780 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 310mA |
| Maksymalna tracona moc: | 330mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |