2N7002EW

Symbol Micros: T2N7002EW ANB
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 5,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 340mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT323
Producent: AnBon
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 20V
Producent: AnBon Symbol producenta: 2N7002EW RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 0,8100 0,3520 0,2210 0,1890 0,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 5,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 340mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT323
Producent: AnBon
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 20V
Typ tranzystora: MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD