2N7002K VISHAY
Symbol Micros:
T2N7002kt1ge3
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N7002KT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
980 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9570 | 0,4550 | 0,2560 | 0,1940 | 0,1740 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N7002KT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
Stan magazynowy:
400 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9570 | 0,4550 | 0,2560 | 0,1940 | 0,1740 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |