2N7002PW NXP
Symbol Micros:
T2N7002pw
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PW,115; 2N7002PW.115;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 310mA |
Maksymalna tracona moc: | 310mW |
Obudowa: | SOT323 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: 2N7002PW,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,7540 | 0,3580 | 0,2010 | 0,1530 | 0,1370 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002PW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1370 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002PW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
708000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1370 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002PW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1370 |
Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 310mA |
Maksymalna tracona moc: | 310mW |
Obudowa: | SOT323 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |