2N7002W

Symbol Micros: T2N7002W LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 50V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002W-LGE;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT323
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: LGE Symbol producenta: 2N7002W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5660 0,2600 0,1410 0,1060 0,0943
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 7,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT323
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD