2N7002WT1G
Symbol Micros:
T2N7002wt1g
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 310mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002W;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 310mA |
| Maksymalna tracona moc: | 280mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N7002WT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
11500 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5780 | 0,2740 | 0,1540 | 0,1170 | 0,1050 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N7002W
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2162 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N7002W
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2216 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 310mA |
| Maksymalna tracona moc: | 280mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |