2SA1232
Symbol Micros:
T2SA1232
Obudowa: TO 3P
Tranzystor PNP; 320; 100W; 130V; 10A; 60MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 100W |
| Częstotliwość graniczna: | 60MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 320 |
| Producent: | NEC |
| Obudowa: | TO 3P |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 130V |
Producent: NEC
Symbol producenta: 2SA1232
Obudowa dokładna: TO 3P
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4300 | 3,8000 | 3,1200 | 2,9100 | 2,8600 |
| Moc strat: | 100W |
| Częstotliwość graniczna: | 60MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 320 |
| Producent: | NEC |
| Obudowa: | TO 3P |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 130V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |