2SA1930+2SC5171 komplet

Symbol Micros: T2SA1930/2sc5171
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: Tosh.2-10R1A
Tranzystor NPN; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 320
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: TOSHIBA
Obudowa: Tosh.2-10R1A
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 180V
Producent: Toshiba Symbol producenta: 2SA1930-Q/2SC5171-Q RoHS Obudowa dokładna: Tosh.2-10R1A karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 18,2000 16,2400 15,0600 14,3000 14,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/950
Producent: SPTECH Symbol producenta: 2SA1930-Q/2SC5171-Q RoHS Obudowa dokładna: Tosh.2-10R1A  
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 18,2000 15,6500 14,6500 14,1200 14,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 320
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: TOSHIBA
Obudowa: Tosh.2-10R1A
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 180V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN