2SA1930+2SC5171 komplet
Symbol Micros:
T2SA1930/2sc5171
Obudowa: Tosh.2-10R1A
2SA1930 : Tranzystor PNP; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SC5171 : Tranzystor NPN; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 2W |
| Producent: | TOSHIBA |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 320 |
| Obudowa: | Tosh.2-10R1A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 180V |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: 2SA1930-Q/2SC5171-Q RoHS
Obudowa dokładna: Tosh.2-10R1A
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 18,2000 | 16,2400 | 15,0600 | 14,3000 | 14,0000 |
Producent: SPTECH
Symbol producenta: 2SA1930-Q/2SC5171-Q RoHS
Obudowa dokładna: Tosh.2-10R1A
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 18,2000 | 15,6500 | 14,6500 | 14,1200 | 14,0000 |
| Moc strat: | 2W |
| Producent: | TOSHIBA |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 320 |
| Obudowa: | Tosh.2-10R1A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 180V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |