2SA1940

Symbol Micros: T2SA1940
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3P
Tranzystor PNP; 160; 80W; 120V; 8A; 30MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 80W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Producent: TOSHIBA
Obudowa: TO 3P
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 120V
Producent: Toshiba Symbol producenta: 2SA1940 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 9,2400 7,7500 6,8900 6,3600 6,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Moc strat: 80W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Producent: TOSHIBA
Obudowa: TO 3P
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 120V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP