2SC4213-B

Symbol Micros: T2SC4213b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 1200; 100mW; 20V; 300mA; 30MHz; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SC4213BTE85LF;
Parametry
Moc strat: 100mW
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1200
Producent: TOSHIBA
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 300mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: Toshiba Symbol producenta: 2SC4213-B RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,7110 0,4980 0,4330 0,4050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Moc strat: 100mW
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1200
Producent: TOSHIBA
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 300mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta