2SD882
Symbol Micros:
T2SD882
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD882L-Q-T60-K (Discontinued 2SD882L-P-T60-K)
Parametry
Moc strat: | 1W |
Częstotliwość graniczna: | 80MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
Producent: | UTC |
Obudowa: | TO126 |
Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
Symbol producenta: 2SD882 RoHS
Obudowa dokładna: TO126
Stan magazynowy:
106 szt.
ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,7200 | 1,1200 | 0,8050 | 0,7040 | 0,6600 |
Producent: YFW
Symbol producenta: 2SD882-P RoHS
Obudowa dokładna: TO126bulk
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,7200 | 1,1200 | 0,8050 | 0,7040 | 0,6600 |
Moc strat: | 1W |
Częstotliwość graniczna: | 80MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
Producent: | UTC |
Obudowa: | TO126 |
Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |