2SJ360
Symbol Micros:
T2SJ360
Obudowa: SOT89
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SJ360(F); 2SJ360(TE12L,F); 2SJ360-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | TOSHIBA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: VBsemi
Symbol producenta: 2SJ360 RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
Stan magazynowy:
70 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,9200 | 1,8300 | 1,5200 | 1,3600 | 1,2700 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-01-20
Ilość szt.: 100
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | TOSHIBA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |