2SK170-BL(F)

Symbol Micros: T2SK170
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 20mA; 400mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK170-BL; 2SK170BL(TPE2,F); 2SK170-BL(F); 2SK170;
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 20mA
Maksymalna tracona moc: 400mW
Obudowa: TO92
Producent: TOSHIBA
Maksymalne napięcie dren-bramka: 40V
Typ tranzystora: N-JFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Producent: Toshiba Symbol producenta: 2SK170-BL(F) RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
94 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 13,6200 12,1600 11,2700 10,7000 10,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Maksymalny prąd drenu: 20mA
Maksymalna tracona moc: 400mW
Obudowa: TO92
Producent: TOSHIBA
Maksymalne napięcie dren-bramka: 40V
Typ tranzystora: N-JFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: THT