2SK2746
Symbol Micros:
T2SK2746
Obudowa:
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,7Ohm; 7A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | TOSHIBA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | TOSHIBA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |