2SK4013
Symbol Micros:
T2SK4013
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,7Ohm; 6A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK4013(STA4,Q,M);
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | TOSHIBA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: 2SK4013 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,8000 | 5,1900 | 4,3000 | 3,7700 | 3,5800 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: 2SK4013(STA4,Q,M)
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
450 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | TOSHIBA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |