AO3400

Symbol Micros: TAO3400 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 35mOhm; 30A; 1,5W; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 1,5W
Obudowa: SOT23
Producent: GOODWORK
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Producent: GOODWORK Symbol producenta: AO3400 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5140 0,2360 0,1280 0,0959 0,0856
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-01-29
Ilość szt.: 3000
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 1,5W
Obudowa: SOT23
Producent: GOODWORK
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD