AO3407A

Symbol Micros: TAO3407a c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 87mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,1A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 87mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,1A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD